山东天岳先进科技股份有限公司于2024年12月申请的一项专利，包括专利的相关内容、公司的基本情况等信息。
据金融界2025年1月30日消息，国家知识产权局的信息表明，山东天岳先进科技股份有限公司申请了一项专利，专利名称为“一种低电阻P型碳化硅晶体、碳化硅衬底及半导体单晶的液相生长方法”，其公开号为CN 119372783 A。
从专利摘要来看，这个申请公开的内容属于半导体制备技术领域，是关于一种低电阻P型碳化硅晶体、碳化硅衬底以及半导体单晶的液相生长方法。这种半导体单晶的液相生长方法包含多个工序。首先是在籽晶表面形成保护层的工序；接着是在远离已加热至生长温度的原料溶液液面的状态下，把保护层朝着液面放置的等待工序；然后是将保护层与原料溶液接触，使保护层溶解于原料溶液的工序。这里的保护层是由熔点比生长温度高的材料以及在比生长温度低的温度下可溶于原料溶液的材料所构成的。这种生长方法有着重要意义，它能够在加热阶段保护籽晶不受蒸汽液滴的蚀刻，并且不会引起原料溶液中的成分变动，有助于提高半导体的结晶质量，还能抑制半导体中缺陷的形成。
根据天眼查的资料，山东天岳先进科技股份有限公司于2010年成立，位于济南市，主要从事科技推广和应用服务业。该企业的注册资本为42971.1044万人民币，实缴资本也是42971.1044万人民币。经过天眼查大数据分析，这个公司对外投资了13家企业，参与招投标项目44次。在知识产权方面，有16条商标信息、590条专利信息，另外还拥有55个行政许可。
山东天岳先进科技股份有限公司的一项专利申请，包括专利的主要内容、公司的成立情况、资本情况以及公司在投资、招投标、知识产权和行政许可等方面的情况，全面展示了该公司的相关信息。
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