本文聚焦于济南晶正电子科技有限公司在半导体元件技术领域的新动态，介绍了该公司于2024年12月申请的“薄膜结构及其制备方法、电子器件”专利相关信息，还对公司的基本情况进行了介绍。
据金融界2025年4月5日发布的消息，国家知识产权局披露了一则重要信息。济南晶正电子科技有限公司提交了一项名为“薄膜结构及其制备方法、电子器件”的专利申请。该专利的公开号为CN 119758619 A，申请日期定格在2024年12月。
从专利摘要来看，此项申请聚焦于半导体元件技术领域，提供了一种独特的薄膜结构及其制备方法和电子器件。具体而言，该薄膜结构由支撑结构以及设置在支撑结构上的薄膜层构成。值得一提的是，薄膜层包含了并列排布的铌酸锂薄膜层和掺杂铌酸锂薄膜层。这种设计的优势显著，它能够在降低铌酸锂晶体电阻的同时，保证电子器件的电光调制效率，从而进一步提升电子器件的整体性能。
接下来，我们通过天眼查资料深入了解一下济南晶正电子科技有限公司。该公司成立于2010年，坐落于济南市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业。企业注册资本高达2897.5513万人民币，并且实缴资本同样为2897.5513万人民币。通过天眼查的大数据分析可知，济南晶正电子科技有限公司在商业领域十分活跃，共对外投资了2家企业，参与招投标项目多达76次。在财产线索方面，拥有商标信息12条，专利信息更是达到了198条。此外，企业还拥有21个行政许可。
济南晶正电子科技有限公司于2024年12月申请的“薄膜结构及其制备方法、电子器件”专利，该专利有望提升电子器件性能。同时，还阐述了公司的基本情况，包括成立时间、注册资本、投资与招投标情况以及相关财产线索等，展现了公司在行业内的活跃度和技术实力。
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