杭州谱析光晶半导体科技有限公司在2024年12月申请的一项名为“一种超结结构及其制造方法”的专利，阐述了该专利的摘要内容及其优势，还介绍了该公司的基本情况。
据金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局公布的信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司有了新的科技成果。该公司申请了一项名为“一种超结结构及其制造方法”的专利，其公开号为CN 119698049 A，申请日期是2024年12月。
从专利摘要中我们可以了解到，这项发明公开了一种超结结构及其制造方法。该超结结构包含若干个相互并联的MOS元胞，而单个MOS元胞又由漏极、上金属源极、栅极、半导体外延层、衬底层等部分构成。半导体外延层会通过离子注入的方式形成P阱层、N阱层。其中，P阱层包括轻掺杂P阱层一和重掺杂P阱层一。在相邻的MOS元胞之间，会在重掺杂P阱层一的中间蚀刻出沟槽，而且这个沟槽的顶部是与上金属源极相接触的。同时，沟槽的内部沉积有氧化层，并且氧化层将沟槽完全充满。
值得一提的是，这项发明首次解决了超结器件制造工艺难度大的问题。通过沟槽刻蚀这一工艺，注入离子束能够深入到沟槽内部。在注入机最大注入深度保持不变的情况下，借助沟槽增加了重掺杂P阱层一的注入深度。这一创新极大地降低了超结器件对注入机的要求，显著降低了超结器件制造的困难程度，进而提高了其工业化应用价值。
接下来，我们来了解一下杭州谱析光晶半导体科技有限公司的基本情况。根据天眼查资料，该公司成立于2020年，位于杭州市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业。企业的注册资本为774.0901万人民币，实缴资本达到了658.536万人民币。通过天眼查大数据分析可知，杭州谱析光晶半导体科技有限公司有着较为丰富的商业活动。它共对外投资了7家企业，参与招投标项目15次，拥有专利信息124条，此外企业还获得了2个行政许可。
本文介绍了杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的“一种超结结构及其制造方法”专利，说明了该专利在解决超结器件制造难题方面的优势，同时介绍了公司的基本情况，展现了该公司在半导体领域的创新成果和一定的商业活跃度。
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