长江存储的相关动态，包括其第五代3D TLC NAND闪存出货情况，其在闪存技术方面的成果如达到较高的垂直栅密度等。同时还提到三星将从第10代V - NAND闪存开始可能采用长江存储的专利混合键合技术且目标在2025年下半年量产，SK海力士也在与长江存储进行专利协议谈判。此外还介绍了长江存储的晶栈架构混合键合技术的优势以及相关专利的拥有情况等。
上个月，有消息报道长江存储（YMTC）开启了第五代3D TLC NAND闪存的出货之旅。这种闪存总共拥有294层，其中包含232个有源层。长江存储在技术研发上取得了重大突破，成功地将闪存密度提升到了与行业相同的水平，并且实现了垂直栅密度的最大化，这一密度在现阶段的商业产品中处于顶尖水平，这使得长江存储在全球NAND闪存市场上有了很强的竞争力。
根据TrendForce的报道，三星计划从第10代V - NAND闪存开始，采用长江存储的专利混合键合技术。三星的目标是在2025年下半年对第10代V - NAND闪存进行量产，预计其总层数会达到420层到430层之间。而且，有传闻说SK海力士也正在和长江存储就专利协议展开谈判呢。
大概在四年前，长江存储就率先把名为“晶栈（Xtacking）架构”的混合键合技术运用到了3D NAND闪存当中，之后逐步构建起了强大的专利组合。三星之前在NAND闪存里使用的是COP（Cell - on - Periphery）结构，这种结构是把外围电路放在一块晶圆上，然后再把单元堆叠在上面。不过呢，当这种结构的层数超过400层的时候，下层外围电路所承受的压力就会对其可靠性产生影响。而一旦采用混合键合技术，就不再需要凸块了，电路也会缩短，这样性能和散热性都会得到提高。
据了解，目前Xperi、长江存储以及台积电（TSMC）拥有混合键合技术的大部分专利。三星之所以选择和长江存储合作，很大程度上是因为在后续的第11代和第12代V - NAND闪存研发生产中，很难绕开长江存储的专利。
长江存储在3D TLC NAND闪存技术上取得进展，第五代产品已出货且技术指标领先。其专利混合键合技术吸引了三星和SK海力士的关注，三星将在下一代闪存生产中可能采用该技术，SK海力士也在谈判专利协议。长江存储的晶栈架构技术有诸多优势，且长江存储在相关专利上占据重要地位，这对其在全球NAND闪存市场竞争有着重要意义。
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