苏州华太电子技术股份有限公司展开，介绍了该公司于2024年11月申请的“一种中低压SIC IGBT器件”专利，包括专利公开号、专利摘要内容，还提及了该公司的基本情况，如成立时间、注册资本、对外投资等信息。
据金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局披露了一则重要信息。苏州华太电子技术股份有限公司申请了一项极具价值的专利，专利名称为“一种中低压 SIC IGBT 器件”，其公开号为 CN 119743965 A，申请日期定格在2024年11月。
从专利摘要来看，这项申请所涉及的中低压 SIC IGBT 器件有着独特的构造。它包含衬底，在衬底之上形成了第二掺杂类型的外延层。而在该外延层内，形成了第一掺杂类型的集电区。集电极金属设置在衬底的背侧，同时还有集电区连接孔，它的作用是连通集电区的下表面至集电极金属的上表面。集电区引出金属填充在集电区连接孔内，其上端与集电区的下表面连接，下端则与集电极金属的上表面连接。这项专利的诞生意义非凡，它成功解决了传统的 SIC IGBT 器件的结构无法适用于中低压 SIC IGBT 器件的技术难题，为中低压 SIC IGBT 器件领域带来了新的发展契机。
通过天眼查资料可知，苏州华太电子技术股份有限公司成立于2010年，公司坐落于苏州市。这是一家主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业的企业。该企业注册资本为38473.6371万人民币，实缴资本为1888.904万人民币。经过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司在商业活动中十分活跃。它共对外投资了11家企业，参与招投标项目达19次。在财产线索方面，拥有商标信息48条，专利信息463条，此外企业还拥有行政许可10个。这一系列的数据充分展示了该公司在行业内的实力和影响力。
苏州华太电子技术股份有限公司申请“一种中低压 SIC IGBT 器件”专利的相关情况，包括专利申请时间、公开号、专利摘要内容，还介绍了该公司的基本信息和商业活动情况。该专利的申请体现了公司的技术研发实力，有望推动中低压 SIC IGBT 器件领域的发展。本文总结
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