江西兆驰半导体有限公司于2024年10月申请的一项名为“GaN基LED外延片及制备方法”的专利相关信息，包括专利的技术内容以及该公司的基本情况等。
金融界在2025年1月25日发布消息，据国家知识产权局信息，江西兆驰半导体有限公司申请了一项专利，其名为“GaN基LED外延片及制备方法”，公开号为CN 119342951 A，申请日期是2024年10月。
从专利摘要来看，这一发明与LED外延片技术领域相关，公开了一种GaN基LED外延片及其制备方法。这种外延片包含衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层等结构。其中，N型半导体层依次包括第一多孔低温GaN层、第二多孔AlGaN/GaN超晶格层、第三高温GaN层、第四多孔AlGaN/GaN超晶格层、第五高温GaN层。采用这个发明，可以减少外延材料在生长过程中的缺陷产生，降低材料的位错密度，能够极大地改善外延片材料的质量，从而提高发光二极管有源区中的辐射复合效率，同时还能显著提高有源区中光子逸出体材料的占比。
根据天眼查的资料，江西兆驰半导体有限公司于2017年成立，位于南昌市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业。该企业的注册资本为160000万人民币，并且实缴资本也是160000万人民币。通过天眼查大数据分析可知，江西兆驰半导体有限公司对外投资了1家企业，参与招投标项目19次，在知识产权方面有2条商标信息、1380条专利信息，此外还拥有59个行政许可。
本文总结了江西兆驰半导体有限公司申请的关于GaN基LED外延片及制备方法的专利情况，包括专利的技术内容、对LED外延片质量提升的作用，同时介绍了该公司的基本信息，如成立时间、地点、注册资本、经营业务、对外投资、招投标情况、知识产权情况和行政许可情况等。
原创文章，作者：Sorrowful，如若转载，请注明出处：https://www.gouwuzhinan.com/archives/2123.html
