中微半导体设备（上海）股份有限公司于2023年7月申请的一项名为“一种高深宽比结构的形成方法及处理装置”的专利相关信息，包括专利的主要内容、该公司的基本情况等内容。
金融界在2025年1月25日发布消息称，根据国家知识产权局的信息，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请了一项专利，专利名称为“一种高深宽比结构的形成方法及处理装置”，其公开号为CN 119340208 A，申请日期是2023年7月。
从专利摘要来看，这种形成方法及处理装置有其独特之处。在形成方法方面，首先要提供一个基片，这个基片包含待刻蚀材料层，在其上面的表面设置有碳基掩膜层，并且这个碳基掩膜层还设置有多个开口，这些开口的作用是暴露待刻蚀材料层。然后是刻蚀步骤，在这个步骤中，会通入刻蚀气体，对暴露出来的待刻蚀材料层进行选择性刻蚀，从而形成刻蚀孔。在刻蚀的过程里，还会在开口的侧壁形成聚合物。接下来是修整步骤，要通入修整气体，对形成的聚合物进行刻蚀，这里的修整气体包含稀有气体、含氮气体以及含氧气体。通过交替重复执行刻蚀步骤和修整步骤，一直到刻蚀孔达到预定的深度。这种形成方法非常巧妙，它能够在适当的时候把刻蚀步骤切换为修整步骤，并且通过选择合适的修整气体，对工艺条件进行控制，让修整步骤只局限在掩膜层进行，这样就大大提高了刻蚀效率，同时也降低了生产成本。
天眼查的资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立于2004年，公司位于上海市。该企业主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业。它的注册资本达到61927.9423万人民币，而且实缴资本也是61927.9423万人民币。经过天眼查大数据的分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司对外投资了27家企业，参与招投标项目65次。在知识产权方面，有商标信息71条，专利信息多达1425条，另外企业还拥有行政许可71个。
本文总结了中微半导体设备（上海）股份有限公司的一项专利申请情况，详细阐述了专利的形成方法等内容，同时介绍了该公司的基本情况，包括成立时间、注册资本、对外投资、招投标以及知识产权等方面的信息，让读者对该公司及其专利有一个较为全面的了解。
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