京东方华灿光电（浙江）有限公司申请的“发光二极管及发光二极管制备方法”专利的相关情况，包括专利申请信息、摘要内容，还对该公司的基本情况进行了介绍。
在金融领域相关消息的不断更新中，2025年3月22日传来一则重要资讯。国家知识产权局披露的信息表明，京东方华灿光电（浙江）有限公司提交了一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利申请。此专利的公开号为CN 119653933 A，申请日期定格在2024年10月。
从专利摘要中我们可以深入了解到，这项专利提供了一种全新的发光二极管及发光二极管制备方法。具体的操作流程为：首先，在衬底的底面精心制作凹槽；接着，借助键合层将衬底的表面与外延结构进行键合；最后，对衬底进行减薄处理，从而去除之前制作的凹槽。值得一提的是，在通过键合层进行衬底和外延结构键合之前，先在衬底底面制作凹槽有着至关重要的作用。在键合的过程中，这些凹槽能够巧妙地分散或者减少应力集中的情况，就如同一个出色的“应力释放器”，有效地起到释放应力的效果。这样一来，就能很好地改善键合之后出现的弯曲问题，使得发光二极管的良率得到显著提高。而且，在键合工作完成之后，通过减薄衬底把凹槽去除，并不会对后续的制程以及芯片产生任何不良影响。
我们再把目光投向京东方华灿光电（浙江）有限公司本身。根据天眼查的资料显示，该公司成立于2014年，其地理位置位于金华市。这是一家专注于从事计算机、通信和其他电子设备制造业的企业。企业的注册资本高达380450万人民币，并且实缴资本也同样为380450万人民币。通过天眼查对该公司的大数据分析可知，京东方华灿光电（浙江）有限公司有着丰富的业务活动。它一共对外投资了3家企业，积极参与招投标项目多达39次，拥有的专利信息数量达到了934条。除此之外，企业还拥有36个行政许可。
本文介绍了京东方华灿光电（浙江）有限公司申请的“发光二极管及发光二极管制备方法”专利，该专利通过独特的制备方法可提高发光二极管良率。同时还介绍了该公司的基本情况，展现了其在行业内的活跃度和技术实力。
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